《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家畅谈氮化镓技能）一书讨论了比硅功率更加高、开关速度更快、功率密度更大的氮化镓怎么彻底改变电力电子职业。从轿车和工业运用，再到消费电子和可再次出产的动力，GaN技能的优势对各行各业都有着深远影响。这本新电子书供给了ADI、Bourns及其他公司的专家对GaN的见地，包含GaN的优势、规划人员初次运用GaN或许面对的应战以及怎么顺利完成从硅到GaN的过渡。本电子书还要点介绍了ADI和Bourns的相关这类的产品，包含GaN操控器和驱动器，以及功率电感器等。

  ADI LTC7890/1同步降压操控器是一款高功能的降压型DC-DC开关稳压器操控器，经过高达100V的输入电压驱动N沟道同步GaN场效应晶体管 (FET) 功率级。与硅金属氧化物半导体解决方案比较，这一些器材简化了运用规划，无需维护二极管和其他额定的外部组件。

  LT8418是一款100V半桥GaN驱动器，集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑操控和维护功用。LT8418供给分离式栅极驱动器来调整GaN FET的敞开和封闭压摆率，因此能按捺振铃并优化EMI功能。

  因为GaN技能的高开关频率，需求用户细心挑选无源元件。Bourns供给针对GaN高频优化的先进磁性元器材，包含其PQ扁线A片式电感器和 TLVR1105T TLVR电感器。这一些器材具有低电感、高额定电流和低辐射的屏蔽结构。

  Bourns HCTSM150102HL变压器具有更强的阻隔才能、15mm最小电气空隙/爬电间隔和7.64kV (2s) 耐压，提升了阻隔高压风险的水平。该变压器选用铁氧体环形磁芯，具有高耦合系数和功率。

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  十分见问题解答第225期：本来为硅MOSFET规划的DC-DC操控器能否用来驱动GaNFET？